1、依據輸出功率，采用線(xiàn)圈的導線(xiàn)

工作中于高頻段的電磁鐵，一般采用絲包線(xiàn)等帶絕緣層的導線(xiàn)繞制。輸出功率高過(guò)十多萬(wàn)赫，而小于2MHz的電源電路中，采用多芯絕緣層的導線(xiàn)繞制線(xiàn)圈，那樣，可合理地提升電導體的面積，進(jìn)而能夠擺脫趨膚效應的危害，使Q值比同樣截面的單條導線(xiàn)繞制的線(xiàn)圈高30%-50%。

在頻率高過(guò)2MHz的電源電路中，電磁鐵應采用單條粗導線(xiàn)繞制，導線(xiàn)的直徑一般為0.3mm-1.5mm。采用間繞的電磁鐵，常見(jiàn)鍍金銅心線(xiàn)繞制，以提升導線(xiàn)表層的導電率。這時(shí)候不適合采用多芯導線(xiàn)繞制，由于多芯絕緣線(xiàn)在頻率很高時(shí)，線(xiàn)圈絕緣層物質(zhì)將造成附加的損耗，其實(shí)際效果反比不上單條導線(xiàn)好。

2、采用高品質(zhì)的線(xiàn)圈框架，降低物質(zhì)損耗

在頻率較高的場(chǎng)所，如中短波股票波段，由于一般的線(xiàn)圈框架，其物質(zhì)損耗明顯提升，因而，應取用高頻率物質(zhì)原材料，如高頻率瓷、聚四氟乙烯、聚乙烯等做為框架，并采用間繞法繞制。

3、挑選有效的線(xiàn)圈規格

能夠降低損耗直徑一定的單面線(xiàn)圈(φ20mm-30mm)，當繞阻長(cháng)短L與直徑D的比率L/D=0.7時(shí)，其損耗小;直徑一定的雙層線(xiàn)圈L/D=0.2-0.5，用t/D=0.25-0.1時(shí)，其損耗小。繞阻薄厚t、繞阻長(cháng)短L和直徑D中間考慮3t+2L=D的狀況下，損耗也小。采用屏蔽罩的線(xiàn)圈，其L/D=0.8-1.2時(shí)佳。

4、選中有效屏蔽罩的直徑

用屏蔽罩，會(huì )提升線(xiàn)圈的損耗，使Q值減少，因而屏蔽罩的規格不適合過(guò)小。殊不知屏蔽罩的規格過(guò)大，會(huì )擴大容積，因此要選中有效屏蔽罩的直徑規格。

當屏蔽罩直徑Ds與線(xiàn)圈直徑D比例考慮以下標值即Ds/D=1.6-2.5時(shí)，Q值減少不超10%。

5、電磁鐵采用磁芯可讓線(xiàn)圈匝數明顯降低

線(xiàn)圈中采用磁芯，降低了線(xiàn)圈的匝數，不但減少線(xiàn)圈的阻值，有益Q值的提升，并且變小了線(xiàn)圈的容積。

6線(xiàn)圈直徑適度選大點(diǎn)，有利于減少損耗在將會(huì )的標準下，線(xiàn)圈直徑選對大一些，容積擴大了一些，有益于減少線(xiàn)圈的損耗。一般接收機，單面線(xiàn)圈直徑取12mm-30mm;雙層線(xiàn)圈取6mm-13mm，但從容積考慮到，也不適合超出20mm-25mm的范疇。

7、減少繞制線(xiàn)圈的接觸電阻

盡可能采用無(wú)框架方法繞制線(xiàn)圈，或是繞制在凸筋式框架上的線(xiàn)圈，能減少接觸電阻15%-20%;按段繞法能減少雙層線(xiàn)圈的接觸電阻的1/3～l/2。針對雙層線(xiàn)圈而言，直徑D越小，繞阻長(cháng)短L越小或繞阻薄厚t越大，則接觸電阻越小。理應強調的是：歷經(jīng)漫漬和封涂后的線(xiàn)圈，其接觸電阻將擴大20%-30%。

總而言之，繞制線(xiàn)圈，自始至終提升Q值，減少損耗，做為考慮到的重中之重。